|
Complex 2D Electric Field Solution in Undoped Double-gate MOSFETs
Mike Schwarz1, Thomas Holtij1, Alexander Kloes2, Benjamín Iñíguez3
1 Technische Hochschule Mittelhessen, Competence Center for Nanotechnology and Photonics, Wiesenstrasse 14, Giessen 35390, Germany; Universitat Rovira i Virgili, Department d'Enginyeria Electronica, Elèctrica i Automàtica, Avda. Païson Catalans, 26., Campus Sescelades, Tarragona 43007, Spain,
2 Technische Hochschule Mittelhessen, Competence Center for Nanotechnology and Photonics, Wiesenstrasse 14, Giessen 35390, Germany,
3 Universitat Rovira i Virgili, Department d'Enginyeria Electronica, Elèctrica i Automàtica, Avda. Païson Catalans, 26., Campus Sescelades, Tarragona 43007, Spain,
Correspondence Address:
Mike Schwarz
Technische Hochschule Mittelhessen, Competence Center for Nanotechnology and Photonics, Wiesenstrasse 14, Giessen 35390, Germany; Universitat Rovira i Virgili, Department d'Enginyeria Electronica, Elèctrica i Automàtica, Avda. Païson Catalans, 26., Campus Sescelades, Tarragona 43007, Spain
 DOI: 10.4103/0377-2063.97326
|
